Ученые IBM демонстрируют прорыв в памяти компьютера

(PhysOrg.com) - Впервые, ученые из IBM Research продемонстрировали, что относительно новая технология памяти, известная как память фазового перехода (PCM), может надежно сохранить множество битов данных в течение длительного периода времени. Это существенно улучшит разработку дешевой, более быстрой и более долговечной памяти для пользовательских устройств, включая мобильные телефоны и облачные системы хранения данных, так и для высокоэффективных приложений, таких как хранение данных предприятия.

В сочетании скорости, износостойкости, энергонезависимости и плотности, PCM может позволить парадигмы для корпоративных IT и систем хранения данных в течение ближайших пяти лет. Ученые долго искали универсальную технологию энергонезависимой памяти, намного превосходящую производительность флэш-память – на сегодняшний день самой распространенной технологии энергонезависимой памяти. Преимущества такой технологии памяти позволили бы компьютерам и серверам загружаться мгновенно и значительно улучшить общую производительность IT-систем. PCM - многообещающий соперник флэш-памяти, может записать и получить данные в 100 раз быстрее, позволить высокую вместимость и не потерять данные, при отключении питания. В отличие от флэш-памяти, PCM также очень долговечен и может выдержать, по крайней мере, 10 миллионов циклов записи, для сравнения текущая флэш-память класса предприятие 30 000 циклов, а флэш-память потребительского класса 3 000 циклов. В то время как 3 000 циклов достаточно для большинства потребительских устройств, 30 000 циклов – для предприятия маловато.

“Демонстрируя мульти-битовую технологию памяти фазового перехода, которая впервые достигла уровня надежности, близкую к требуемой для корпоративных приложений, мы сделали большой шаг к практическим устройствам памяти, основанным на мульти-битовых PCM.” - утверждает доктор Хэрис Позидис из IBM Research.